一种四靶双离子束溅射镀膜装置

摘要

本发明公开一种四靶双离子束溅射镀膜装置，包括机架、真空镀膜室、主离子源、辅离子源、旋转靶座和可加热、旋转及前后移动的基片架，所述真空镀膜室装设于机架上，所述主离子源、辅离子源、旋转靶座和基片架均设于真空镀膜室内，所述主离子源的发射口对准旋转靶座，所述基片架夹设有基片，所述辅离子源的发射口对准装设于基片架上的基片，所述旋转靶座上安装有四种不同的靶材，所述旋转靶座的中心线与基片架的中心线相互叠合。本发明能提高镀膜质量，有效提高沉积效率，方便制备多种材料的多层薄膜；本发明能镀制任意材料，尤其适合蒸气压高的金属和化合物及高熔点材料的镀制，可应用于微电子、光电、超导、类金刚石等新材料研究领域。