超结金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供了超结金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，该晶体管包括重掺杂衬底、外延层、深结、沟道区、栅氧区、栅极多晶硅、源极多晶硅、有源区、绝缘层、源极及漏极，其中，该栅极多晶硅覆设于所述栅氧区的边缘区域；该源极多晶硅覆设于所述栅氧区的中部区域，且所述源极多晶硅与所述栅极多晶硅之间具有间隔区域；该源极通过开设于所述绝缘层的接触孔与所述源极多晶硅接触。由此，本发明引入额外的漏极和源极电阻电容组合，并降低了漏极和栅极电容，能够抑制漏极和源极间电压的上升速率，并减小对栅极的反馈信号，从而有效缓解MOSFET器件的EMI特性。