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硫酸铜、其制造方法及其溶液、镀敷液、半导体电路基板的制造方法及电子机器的制造方法

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摘要

本发明公开了硫酸铜、其制造方法及其溶液、镀敷液、半导体电路基板的制造方法及电子机器的制造方法。具体地，本发明提供一种降低了铝浓度的硫酸铜、硫酸铜溶液、镀敷液、硫酸铜的制造方法、半导体电路基板的制造方法及电子机器的制造方法。本发明是一种硫酸铜，其Al浓度为0.08质量ppm以下。

著录项

  • 公开/公告号CN108821325A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JX金属株式会社;

    申请/专利号CN201810269274.9

  • 发明设计人 永浦友太;石井雅史;

    申请日2018-03-29

  • 分类号C01G3/10(20060101);C25D3/58(20060101);

  • 代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟;李兵霞

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 07:14:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G3/10 申请日:20180329

    实质审查的生效

  • 2018-11-16

    公开

    公开

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