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一种适用3.7-4.8μm波段的硅基底高效增透膜

摘要

本发明提供了一种适用3.7‑4.8μm波段的硅基底高效增透膜,所述高效增透膜包括硅基底层和空气层在内的膜层数目为9层,膜层结构为Sub Si︱Y2O3 Ge ZnS Ge ZnS Y2O3 YbF3︱Air,其中的硅基底层材料为红外光学材料硅;本发明提供的所述适用3.7‑4.8μm波段的硅基底高效增透膜,降低了包括硅基底层和空气层在内的增透膜的膜层数目,从而简化了在硅基底材料表面依次镀制各膜层材料的工艺;增强了相邻膜层材料之间的附着力,避免了增透膜易出现膜层不均匀和脱膜的现象而导致生产的增透膜的废品率高的弊端,从而节省了增透膜的生产成本;提高了增透膜在3.7‑4.8μm波段的平均透过率,降低了增透膜在3.7‑4.8μm波段的平均反射率;优化了增透膜的硬度和耐磨性,防止增透膜在使用过程中易划伤等情况的出现。

著录项

  • 公开/公告号CN108802864A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 云南北方驰宏光电有限公司;

    申请/专利号CN201810582162.9

  • 申请日2018-06-07

  • 分类号G02B1/115(20150101);G02B1/14(20150101);

  • 代理机构61242 西安东灵通专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人朱玲

  • 地址 655000 云南省曲靖市经济技术开发区

  • 入库时间 2023-06-19 07:12:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B1/115 申请日:20180607

    实质审查的生效

  • 2018-11-13

    公开

    公开

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