包括基于埋置铁电材料的储存机制的非易失性晶体管元件

摘要

本披露涉及包括基于埋置铁电材料的储存机制的非易失性晶体管元件，其提供储存元件，例如储存晶体管，其中，基于在SOI晶体管架构的埋置绝缘层中所形成的铁电材料提供至少一个储存机制。在另外的示例实施例中，在该栅极电极结构中实施一个另外的储存机制，以提供增加的总体信息密度。在一些示例实施例中，该栅极电极结构中的该储存机制以铁电材料形式提供。