用于将STT-MRAM存储器阵列集成到逻辑处理器中的方法以及所得结构

摘要

描述了用于将自旋扭矩转移磁性随机存取存储器（STT‑MRAM）存储器阵列集成到逻辑处理器中的方法以及所得结构。在一示例中，逻辑处理器包括逻辑区，逻辑区包括部署在电介质层中的金属线/通路配对，电介质层部署在衬底上方。逻辑处理器还包括具有多个磁性隧道结（MTJ）的自旋扭矩转移磁阻随机存取存储器（STT‑MRAM）阵列。MTJ部署在电介质层中。