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一种“金字塔”样三维细胞聚集培养芯片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种“金字塔”样三维细胞聚集培养芯片及其制备方法。该方法利用软光刻的方法制备具有“金字塔”样的阵列模板,再用聚二甲基硅氧烷(PDMS)制备成具有反金字塔结构的凹陷阵列芯片。在接种细胞后,由于芯片内凹陷具有倾斜的侧壁,迫使细胞聚集在其底部,进而聚集成三维细胞团。本发明的芯片与一般的垂直曝光所得到的垂直侧边的凹陷阵列相比,侧边倾斜的凹陷阵列可以对其中存在的细胞产生来自底边和四个侧壁上挤压的力,使其中的细胞更易聚集成球,提高了实验的效率。

著录项

  • 公开/公告号CN108795752A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院大连化学物理研究所;

    申请/专利号CN201710291184.5

  • 发明设计人 秦建华;魏文博;刘海涛;王亚清;

    申请日2017-04-28

  • 分类号

  • 代理机构沈阳晨创科技专利代理有限责任公司;

  • 代理人郑虹

  • 地址 116023 辽宁省大连市中山路457号

  • 入库时间 2023-06-19 07:06:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):C12M3/00 申请日:20170428

    实质审查的生效

  • 2018-11-13

    公开

    公开

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