一种低衬底损耗的体硅CMOS结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种低衬底损耗的体硅CMOS结构及其制备方法，该CMOS结构自下而上依次包括硅衬底、场区和有源区、第一介质层、无源器件区和第二介质层以及钝化层，所述有源区和场区位于同一水平面上，所述无源器件区和第二介质层位于同一水平面上；所述无源器件区位于所述场区的正上方，且所述无源器件区在水平方向上的面积小于场区在水平方向上的面积，位于所述无源器件区正下方的硅衬底背面含有特定图样的硅槽，且所述硅槽中填充绝缘介质材料。本发明提供的一种低衬底损耗的体硅CMOS结构及制作方法，可以降低硅衬底的寄生效应，减小衬底的损耗，提高器件的品质因子。