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一种薄膜低阻及薄膜低阻L型调阻方法

摘要

一种薄膜低阻及薄膜低阻L型调阻方法,涉及电子产品技术领域。其步骤包括:步骤S1,在第一侧端靠近第一端面电极的位置处切割出直线式的电阻精调式口,电阻精调式口的延伸方向与第一侧端平行,并与第一端面电极的垂直间距为0.2mm~0.4mm;步骤S2,在第二侧端靠近第二端面电极的位置处切割出L型的电阻粗调式口,电阻粗调式口具有连通的横向调节口和竖向调节口,横向调节口的延伸方向与第二侧端平行,竖向调节口的延伸方向与第二侧端垂直,竖向调节口沿着远离第二侧端的方向延伸,横向调节口与第二端面电极的垂直间距为0.2mm~0.4mm;步骤S3,在电阻精调式口和电阻粗调式口的位置处对薄膜低阻进行调试。采用该方法制得的薄膜低阻,散热能力强。

著录项

  • 公开/公告号CN108766689A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-11-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国振华集团云科电子有限公司;

    申请/专利号CN201810661587.9

  • 申请日2018-06-25

  • 分类号H01C7/00(20060101);H01C17/242(20060101);

  • 代理机构11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人毕翔宇

  • 地址 550000 贵州省贵阳市新添大道北段268号附1号

  • 入库时间 2023-06-19 07:04:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01C7/00 申请日:20180625

    实质审查的生效

  • 2018-11-06

    公开

    公开

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