用于源极/漏极外延区的灵活合并方案

摘要

一种方法包括蚀刻第一半导体鳍和第二半导体鳍以形成第一凹槽。第一半导体鳍和第二半导体鳍具有第一距离。蚀刻第三半导体鳍和第四半导体鳍以形成第二凹槽。第三半导体鳍和第四半导体鳍具有等于或小于第一距离的第二距离。实施外延以同时从第一凹槽生长第一外延半导体区和从第二凹槽生长第二外延半导体区。第一外延半导体区彼此合并，并且第二外延半导体区彼此分离。本发明实施例涉及用于源极/漏极外延区的灵活合并方案。