半导体硅表面大面积规则分布纳米孔阵列结构制备方法

摘要

本发明提供了半导体硅表面大面积规则分布纳米孔阵列结构制备方法，包括：处理硅样品并将其放在三维微位移平台上；飞秒脉冲激光放大级输出飞秒脉冲激光，飞秒脉冲激光依次经过半波片、格兰棱镜、光阑、快门和聚焦物镜后照射在硅样品表面，同时PC机控制所述三维微位移平台在XYZ三个方向上移动，实现样品表面的飞秒脉冲激光直写；利用扫描电子显微镜分析表征经过飞秒脉冲激光直写加工后的硅样品表面微纳结构形貌。该方法基于飞秒脉冲激光微纳加工平台，结合激光直写技术，通过控制飞秒脉冲激光能量密度、激光偏振、激光扫描速度和扫描间距，实现对半导体硅材料表面纳米结构的诱导，方便快速在硅表面诱导出大面积规则分布的纳米孔阵列结构。