法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-03-12
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/072 申请公布日:20110810 申请日:20110115
发明专利申请公布后的驳回
2011-09-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/072 申请日:20110115
实质审查的生效
2011-08-10
公开
公开
机译: 基于氮化物的III-V族化合物半导体基质及其制备方法,半导体发光器件的制备方法和半导体器件的制备方法
机译: 用于基于第一III / V族化合物半导体材料系统(SMS)的外延结构元件的制备方法,其中在半导体技术中有用的衬底或缓冲层上具有第一V族元素
机译: 用于基于第一III / V族化合物半导体材料系统(SMS)的外延结构元件的制备方法,其中在半导体技术中有用的衬底或缓冲层上具有第一V族元素