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一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜

摘要

本发明公开了一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜,采用二元数字合金GaAs/AIAs超晶格材料作为高折射率材料层,形成一种新型的二元数字合金GaAs/AIAs半导体超晶格型分布式布拉格反射镜DBR,在上述结构的DBR反射镜中,由于二元数字合金GaAs/AIAs超晶格材料的引入省去了异质界面的组分过渡层,简化了器件的结构设计,使得外延生长过程中对生长参数更易控制,同时由于超晶格各层的厚度与电子的德布洛意波长在同一数量级,使载流子通过隧道效应形成的隧道电流增强从而有利于DBR反射镜获得较低的串联电阻。

著录项

  • 公开/公告号CN108616032A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中科芯电半导体科技(北京)有限公司;

    申请/专利号CN201810661371.2

  • 发明设计人 崔利杰;张杨;曾一平;

    申请日2018-06-25

  • 分类号H01S5/183(20060101);H01S5/187(20060101);

  • 代理机构11357 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张素红

  • 地址 100076 北京市大兴区西红门镇金盛大街2号院23号楼二层(中科芯电)

  • 入库时间 2023-06-19 06:41:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/183 申请日:20180625

    实质审查的生效

  • 2018-10-02

    公开

    公开

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