硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法

摘要

本发明公开一种硅锗异质结双极晶体管发射极的制作方法，包括：在衬底表面形成SiGe HBT晶体管基区窗口；在衬底的表面上形成SiGe材料层；在衬底的表面上形成SiGe HBT晶体管发射区窗口；在硅片表面上形成SiGe HBT晶体管多晶发射极；以及形成SiGe HBT晶体管。上述发明通过在第二多晶硅层上增加一层抗反射材料层，减小基区窗口底部和发射极周边台阶侧壁对多晶发射极光刻的反射，从而改善多晶发射极的形貌。同时该抗反射材料层还可以作为第三多晶硅层刻蚀时的停止层，可精确控制第二多晶硅层刻蚀，避免在后续刻蚀中损伤SiGe HBT的外基区材料层。