一种二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导的方法

摘要

一种二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导的方法，涉及半导体薄膜p型电导。设置三温区双管路化学气相沉积系统；第一温区第一管路放置BN前驱物，第二温区第二管路放置Mg源前驱物，第三温区放置反应衬底；生长阶段开始前先将真空度控制至低于10‑4torr；氢气和氩气的氛围中对衬底进行800～1000℃退火处理；三温区分别加温至设置温度，第一温区为低温区，温度70～100℃；第二温区为中温区，温度400～900℃；第三温区为高温反应区，温度900～1200℃；第一管路和第二管路通载气，携带前驱物和杂质源至反应区混合反应；生长结束，在保护气体中自然冷却到室温，得二维六方氮化硼薄膜掺杂获得p型电导。