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倒装四元系发光二极管外延结构、倒装四元系发光二极管及其生长方法

摘要

一种倒装四元系发光二极管外延结构、倒装四元系发光二极管及其生长方法,适用于倒装四元系LED结构。倒装四元系LED外延结构包括:腐蚀截止层、电流扩展层、N型层、发光层、P型层,通过提出采用AlGaAs材料作为电流扩展层代替传统的AlGaInP层,达到程序时间缩短(降低成本)及长晶质量提升的技术效果,通过该外延结构获得的发光二极管的ESD提升率为20%以上。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20180502

    实质审查的生效

  • 2018-09-18

    公开

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