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采用MOSFET的紧凑型三维存储器及其制造方法

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摘要

本发明提出一种采用MOSFET的紧凑型三维存储器（3D‑MC）。在高于衬底的存储层中，x地址线从存储阵列延伸到解码级。MOSFET晶体管形成在x地址线上，并成为一解码器件。在解码器件中，x地址线与控制线的重叠部分是半导体。

公开/公告号CN108511446A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-09-07

原文格式PDF
申请/专利权人杭州海存信息技术有限公司;
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申请/专利号CN201710109700.8
发明设计人张国飙;
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申请日2017-02-28
分类号H01L27/11509(20170101);H01L27/11514(20170101);H01L27/11526(20170101);H01L27/11551(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11578(20170101);G11C17/12(20060101);
代理机构
代理人
地址 310051 浙江省杭州市(滨江区)5288信箱
入库时间 2023-06-19 06:28:31

1. 采用MOSFET的紧凑型三维存储器及其制造方法 [P] . 中国专利： CN108511446A . 2018-09-07
2. 采用JFET的紧凑型三维存储器及其制造方法 [P] . 中国专利： CN108511445A . 2018-09-07
3. Manufacturing methods of MOSFET-type compact three-dimensional memory [P] . 美国专利： US10199432B2 . 2019-02-05

机译： MOSFET型紧凑型三维存储器的制造方法
4. Manufacturing Methods of MOSFET-Type Compact Three-Dimensional Memory [P] . 美国专利： US2017194379A1 . 2017-07-06

机译： MOSFET型紧凑型三维存储器的制造方法
5. METHOD OF FABRICATING A THREE DIMENSIONAL MOSFET EMPLOYING A HARDMASK SPACER [P] . 韩国专利： KR20050094583A . 2005-09-28

机译：制造采用Harmadsk间隔器的三维MOSFET的方法