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用于外腔二极管激光器的半导体光学放大器

摘要

在一个实施例中,外腔二极管激光器(ECDL)的增益介质包括:增益部分,用于对ECDL中的光能量提供增益操作,所述增益操作由第一电信号控制;被设置成与所述增益部分相邻的半导体光学放大器(SOA)部分,用于响应于第二电信号而放大所增益的光能量;以及被设置在所述增益部分和所述SOA部分之间的沟槽,用作集成镜。还描述并请求保护其他实施例。

著录项

  • 公开/公告号CN101779348B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN200880018741.5

  • 发明设计人 S·索恰瓦;

    申请日2008-05-22

  • 分类号

  • 代理机构永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人邬少俊

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-23

    授权

    授权

  • 2010-09-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S 5/14 申请日:20080522

    实质审查的生效

  • 2010-07-14

    公开

    公开

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