具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有轻掺杂漏结构的Z型异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，主要解决现有器件开态电流低和双极效应严重的问题，其包括：SOI衬底(1)、隔离槽(2)、源区(3)、沟道区(4)、漏区(6)、栅区(5)及导电层(7)；隔离槽(2)位于SOI衬底(1)的两侧；源区(3)、沟道区(4)和漏区(6)位于SOI衬底的上表面；栅区(5)位于沟道区(4)的上侧；源区(3)，采用锗半导体材料；栅区(5)，采用Z型结构，且采用长度为3nm～9nm的栅覆盖在源区上；漏区(6)在靠近栅区(5)的一侧设有轻掺杂漏区。本发明能有效抑制双极效应，提高了驱动电流，可用于大规模集成电路的制作。