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一种采用磁控溅射沉积纳米纯Ti薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种采用磁控溅射沉积纳米纯Ti薄膜的方法。包括以下步骤:将待沉积的样品经酒精超声波清洗15min后,用纯N2气吹干放入真空腔内旋转工件架上,将真空腔内真空度抽至9×10‑5Pa—3×10‑4Pa,随后通入氩气并将真空度保持在0.6Pa,氩气气流量为70ml/min;开启脉冲靶电源和脉冲负偏压电源对样品进行等离子轰击清洗,离子清洗时间15min;沉积纯Ti膜层,镀膜持续时间30~90min;完成镀膜的样品待冷却后,取出。本发明的磁控溅射方法的阴阳极间电场环境具有高电压高电流特征,制备出的纯Ti薄膜可集膜层致密光滑、沉积速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等优点于一体;制备方法简捷稳定,工序少,产量高,能满足工业化生产的要求。

著录项

  • 公开/公告号CN108505006A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-09-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安理工大学;

    申请/专利号CN201810498924.7

  • 发明设计人 杨超;蒋百铃;曹政;董丹;

    申请日2018-05-23

  • 分类号C23C14/35(20060101);C23C14/14(20060101);

  • 代理机构11315 北京国昊天诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人杨洲

  • 地址 710048 陕西省西安市金花南路5号

  • 入库时间 2023-06-19 06:24:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20180523

    实质审查的生效

  • 2018-09-07

    公开

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