采用磁控溅射‑掩模辅助沉积制备Ag纳米线阵列电极的方法

摘要

本发明涉及一种采用磁控溅射‑掩模辅助沉积制备Ag纳米线阵列电极的方法，使用磁控溅射与电极掩模辅助沉积技术制备Ag膜；连接的金属电极Ag分别沉积在上、下AlN基底，上、下AlN片的尺寸是1‑40 mm × 1‑35 mm；然后通过对准，在热电材料掩模辅助下，