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公开/公告号CN108461553A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-28
原文格式PDF
申请/专利权人 南昌大学;
申请/专利号CN201810198904.8
发明设计人 袁吉仁;周浪;黄海宾;高超;岳之浩;
申请日2018-03-12
分类号H01L31/0216(20140101);H01L31/0224(20060101);H01L31/068(20120101);
代理机构36115 南昌新天下专利商标代理有限公司;
代理人施秀瑾
地址 330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
入库时间 2023-06-19 06:20:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0216 申请日:20180312
实质审查的生效
2018-08-28
公开
机译: 具有用于表面钝化的具有晶体硅PN同质结和非晶硅异质结的太阳能电池的制造方法
机译: 具有用于表面钝化的具有晶体硅P-N同质结和非晶硅异质结的太阳能电池的制造方法
机译: 具有晶体硅P-N同质结和非晶硅异质结以进行表面钝化的太阳能电池
机译:氢化非晶硅氧化物具有双异质结构的晶体硅异质结太阳能电池
机译:具有微晶硅缓冲层的非晶硅/ p型晶体硅异质结太阳能电池
机译:薄膜晶体硅太阳能电池中掺硼的p型氢化非晶硅和晶体硅之间异质结处的后场效应
机译:用于双面应用的具有异质结的嵌入式背面场晶体硅太阳能电池
机译:非晶硅/晶体硅异质结光伏电池的界面特性。
机译:核-壳纳米线阵列的几何优化以增强薄晶体硅异质结太阳能电池的吸收
机译:透明导电氧化物与非晶硅界面的理论研究及其对非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池性能的影响
机译:具有非晶/晶体硅异质结作为背接触的高效晶体硅太阳能电池。