用于装置加工的钻石底半导体晶圆的安装技术

摘要

本发明涉及一种载体基板上的钻石底半导体晶圆(55)。载体基板上的钻石底半导体晶圆(55)包含：具有钻石侧和半导体侧的钻石底半导体晶圆(40)；设置于钻石底半导体晶圆(40)的钻石侧上，并包括具有低于钻石的热膨胀系数(CTE)的至少一层的载体基板(50)；以及设置于钻石底半导体晶圆(40)的钻石侧和载体基板(50)之间，以结合载体基板(50)和钻石底半导体晶圆(40)的黏附层(48)。载体基板上的钻石底半导体晶圆(55)具有下列特性：总厚度变化不超过40微米；晶圆弯曲度不超过100微米；以及晶圆翘曲度不超过40微米。