公开/公告号CN108445960A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 重庆湃芯入微科技有限公司;
申请/专利号CN201810676844.6
发明设计人 唐枋;
申请日2018-06-27
分类号
代理机构
代理人
地址 402260 重庆市江津区双福镇双福工业园区拆迁安置综合楼A区1幢2-2号
入库时间 2023-06-19 06:18:47
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-08-23
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F3/26 申请日:20180627
实质审查的生效
2018-08-24
公开
公开
机译: CMOS子带隙基准电压源,其工作电源电压小于带隙电压
机译: 适用于生产测试的低输出噪声,高电源抑制和高精度可调节带隙基准电压源的方法和装置
机译: 具有高电源抑制比的带隙基准电压源