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一种高电源电压波动范围的带隙基准电压源

摘要

本发明涉及集成电路设计技术领域,提供一种高电源电压波动范围的带隙基准电压源,包括3级共源共栅电流镜结构和偏置结构,3级共源共栅电流镜结构的栅极电压偏置由偏置结构提供,3级共源共栅电流镜结构包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管,第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管,本发明改进了一级共源共栅电流镜结构,增大了电源电压波动范围上限,从而增大了整体的电源电压波动范围。

著录项

  • 公开/公告号CN108445960A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆湃芯入微科技有限公司;

    申请/专利号CN201810676844.6

  • 发明设计人 唐枋;

    申请日2018-06-27

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 402260 重庆市江津区双福镇双福工业园区拆迁安置综合楼A区1幢2-2号

  • 入库时间 2023-06-19 06:18:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F3/26 申请日:20180627

    实质审查的生效

  • 2018-08-24

    公开

    公开

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