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公开/公告号CN108439993A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN201810545784.4
发明设计人 吕明;李维雄;
申请日2018-05-31
分类号C04B35/581(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/64(20060101);
代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;
代理人何淑珍;冯振宁
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2023-06-19 06:13:14
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-18
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/581 申请日:20180531
实质审查的生效
2018-08-24
公开
机译: AlN AlN AlN AlN AlN烧结体AlN基质及其制备方法
机译: Aln晶体的制备方法,Aln晶体和包括Aln晶体的有机化合物
机译:通过原位聚合制备的聚酰亚胺/ ALN和聚酰亚胺/(ALN加BN)复合膜的热导率
机译:内置极化场效应对AlN / GaN / AlN量子阱的本征和非本征热导率的影响
机译:纳米级AlN / GaN / AlN异质结构的晶格热导率:部分声子空间约束的影响
机译:在AL_2O_3 / ALN或LTCC(低温共烧陶瓷)基材上的直接电镀铜(DPC)陶瓷材料
机译:具有未连接的电压驱动电极的高Q AlN轮廓模式谐振器。
机译:超声波辅助铸造生产新型镁Elektron21-AlN纳米复合材料;微观结构热导率和电导率
机译:Y2O3-AlN,Y2O3-Al2O3,R2O3-AlN的共晶混合物自发渗透制备SiC陶瓷的可行性研究Y2O3-AlN,Y2O3-Al2O3,R2O3-AlN自发渗透制备SiC陶瓷的可行性研究
机译:siC-alN-al(sub 2)OC陶瓷的制造,相变研究和表征。总结报告