沟槽型屏蔽栅功率器件的工艺方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型屏蔽栅功率器件的工艺方法，包含：第一步，在衬底上刻蚀沟槽，淀积介质层并进行第一次多晶硅淀积及刻蚀；第二步，对第一次多晶硅在无光刻胶定义的情况下进行第二次刻蚀；第三步，进行高密度等离子体氧化膜淀积；第四步，对高密度等离子体氧化膜进行CMP；第五步，再对高密度等离子体氧化膜回刻；第六步，进行中间氧化层湿法刻蚀；第七步，形成栅氧化层及多晶硅淀积；第八步，进行体区注入；第九步，进行源区注入、制作接触的后续工艺。本发明能改善器件的VTH分布。