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一种高热膨胀高强度陶瓷封装材料及其制备方法

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本发明属于电子陶瓷封装材料领域，具体提供一种高热膨胀高强度陶瓷封装材料及其制备方法，应用于集成电路芯片的陶瓷封装，特别适用于陶瓷球栅阵列封装。本发明采用低温共烧工艺，其制备工艺简单，原材料绿色环保不含RoHS中限定污染物质，材料性能稳定；针对特定封装环境条件，形成热膨胀系数固定的封装材料。本发明提供高热膨胀高强度陶瓷封装材料介电性能优良：介电常数6～7，介电损耗小＜1.0×10

著录项

公开/公告号CN108424132A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-21

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201810507526.7
发明设计人李波;边海勃;
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申请日2018-05-24
分类号
代理机构电子科技大学专利中心;
代理人甘茂
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 06:11:47

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-09-14

实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/14 申请日:20180524

实质审查的生效
2018-08-21

公开

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