AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法

摘要

本发明公开了AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触电极的制备方法，包括以下步骤：(1)利用光刻技术，AlGaN/GaN异质结外延片表面制备出源漏欧姆接触窗口；(2)采用ICP刻蚀的方法，对欧姆接触区域进行干法刻蚀，完全去除AlGaN层，并刻蚀至GaN沟道层往下5～20nm处；(3)在源漏区域依次沉积金属Al层、金属Ti层、金属Au层；(4)去胶剥离后，于600～750℃进行合金退火处理，形成欧姆接触电极。相比于传统欧姆接触电极金属体系，本发明的欧姆接触电极合金温度下降了200℃左右，降低了工艺难度，合金后的欧姆接触表面形貌更加平整。