公开/公告号CN108321156A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-07-24
原文格式PDF
申请/专利权人 杰华特微电子(杭州)有限公司;
申请/专利号CN201711445548.7
申请日2017-12-27
分类号
代理机构
代理人
地址 311121 浙江省杭州市余杭区仓前街道文一西路1500号1幢424室
入库时间 2023-06-19 06:30:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20171227
实质审查的生效
2018-07-24
公开
公开
机译: 晶体管,一种制造晶体管的方法,一种半导体器件,一种制造半导体器件的方法,一种显示器件,以及一种电子器件,能够抑制水分渗透到氧化物半导体层中
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 一种制造半导体存储器件的方法,一种半导体器件和一种半导体存储器件。