具有深沟槽隔离结构的主动及被动组件

摘要

本发明涉及具有深沟槽隔离结构的主动及被动组件，其关于半导体结构，并且更尤指具有深沟槽隔离结构的主动及被动射频(RF)组件、以及制造方法。该结构包括具有深沟槽隔离结构的主体高电阻率芯片，该深沟槽隔离结构具有比该主体高电阻率芯片上所形成的装置间的最坏情况偏压差下的最大空乏深度更深的深度。