用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器

摘要

本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。