一种缓解MLC闪存读干扰问题的方法

摘要

本发明公开了一种缓解MLC闪存读干扰问题的方法,每个wordline分为:最低有效位LSB和最高有效位MSB，单个wordline的编程必须先编程wordline的所有LSB，然后再编程wordline的整个MSB,其特征在于根据读取的wordline所处的状态分别给与wordline相邻的wordline设置不同的旁路电压pass_through，wordline根据编程的程度分为3种状态，分别如下：擦除状态，为wordline的LSB和MSB都没有写入任何数据；非完全状态，为wordline的LSB写入数据，但MSB没有写入数据；完全状态，为wordline的LSB和MSB都已写入数据。可以有效降低读干扰对擦除状态与非完全状态wordline的影响，可有效降低非完全状态的wordline和擦除状态的wordline70％的BER，这间接的增加了MLC闪存的寿命。