一种实时观测调控碳化硅晶体生长过程中的温度的方法及其保温设备

摘要

本发明提供一种实时观测调控碳化硅晶体生长过程中的温度的方法及其保温设备，该保温设备具有石墨坩埚，碳化硅原料和碳化硅籽晶分别置于所述石墨坩埚的底部高温区和顶部低温区，所述石墨坩埚外部采用保温桶覆盖，所述保温桶中位于所述碳化硅籽晶顶部的部分具有凸起，所述突起具有中心测温孔，不仅可以实时监测坩埚顶部的温度实现间接实时调控晶体生长，还可通过组合调整参数中心测温孔直径，所述凸起的高度和厚度等来实现对晶体生长界面轴向和径向温度场的调控，从而提高制备的碳化硅晶体的质量。