高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括：根据第一预定功率和第一预定压力，设置靶功率密度以及工艺气压；在衬底上以预定生长速度生长出第一预定膜厚的薄膜基础层；使工艺气体的等离子体，按预定时间轰击所述薄膜基础层，诱导所述薄膜基础层再结晶，使所述薄膜基础层沿指定晶面生长出籽晶层；将靶功率密度降低至第二预定功率，并根据第二预定压力设置工艺气压，以诱导所述籽晶层沿指定晶面生长为第二预定膜厚的透明导电氧化物薄膜；获得高迁移率透明导电氧化物薄膜。本发明在改善TCO薄膜的综合性能的同时，可以有效降低能耗，节约成本。