坩埚、坩埚的制备方法及4H-SiC晶体的生长方法

摘要

本发明提供一种坩埚、坩埚的制备方法及4H‑SiC晶体的生长方法，所述坩埚包括：石墨坩埚主体；SiC层，位于所述石墨坩埚主体的内壁上。本发明的坩埚通过在石墨坩埚主体内壁上形成SiC层，所述SiC层可以在4H‑SiC晶体生长过程中作为补给碳源及硅源；所述坩埚不存在纯度不够高的问题，且所述坩埚的成本相较于SiC坩埚的成本大大降低。