公开/公告号CN108048913A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 友达光电(昆山)有限公司;
申请/专利号CN201711339010.8
发明设计人 孙铭伟;
申请日2017-12-14
分类号
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司;
代理人梁挥
地址 215300 江苏省昆山经济技术开发区龙腾路6号
入库时间 2023-06-19 05:21:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B30/00 申请日:20171214
实质审查的生效
2018-05-18
公开
公开
机译: 用于电子设备的太阳能电池制造涉及对在p掺杂多晶硅层上形成的n掺杂多晶硅层进行退火,以将其非晶硅转变为多晶硅
机译: 用电子束结晶化等离子体增强化学气相沉积形成的氢态非晶硅薄膜的方法,制造多晶硅硅酸盐薄膜的方法和用该方法制造的多晶硅硅酸盐薄膜的方法
机译: 利用硅化物诱导的横向结晶来结晶非晶硅薄膜的方法以及使用相同的方法来制造多晶硅薄膜晶体管的方法