一种纳秒级抗辐照NPN型双极晶体管制造方法

摘要

本发明公开了一种纳秒级高速开关双极晶体管制造方法，属于半导体分立器件设计和制造领域。本发明采用后扩金工艺，避免了传统扩金工艺在扩金后再进行发射区推结，抑制了传统工艺带来的金固溶度的降低和金原子的沉淀，提高了器件的开关速度和可靠性，此外，扩金在硅中引入的复合中心，可以缩短少子寿命，减小基极复合电流，从而提高了器件抗ELDRS效应的能力。基区和发射区表面的电极隔离介质层采用热氧化工艺制造，减少辐照时氧化层中感生的正电荷，提高了器件抗ELDRS效应的能力。芯片钝化膜采用SiO2+BPSG+Si3N4的多层钝化结构，可提高器件耐湿和抗环境污染的能力。