FDSOI工艺中浅沟槽隔离结构的形成方法

摘要

本发明公开了一种FDSOI工艺中浅沟槽隔离结构的形成方法，包括步骤：步骤一、提供FDSOI衬底结构，在顶层硅表面形成衬垫氧化层和第一氮化硅层；步骤二、光刻定义出浅沟槽的形成区域，将浅沟槽的形成区域的硬掩模层打开并以硬掩模层为掩模依次对顶层硅、埋氧层和体硅层进行刻蚀形成浅沟槽；步骤三、进行预清洗，控制预清洗中的HF溶液的稀释度和HF溶液的清洗时间减少浅沟槽边缘处的顶层硅的突出量；步骤四、采用原子层沉积工艺进行线性氧化层的生长；步骤五、采用HARP工艺对浅沟槽的进行氧化层填充。本发明能减少线性氧化层生长过程中对顶层硅的消耗量，从而能提升器件的电学性能并使器件的电学性能达到要求值。