公开/公告号CN108017413A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 航天特种材料及工艺技术研究所;
申请/专利号CN201610935892.3
申请日2016-11-01
分类号C04B41/85(20060101);
代理机构
代理人
地址 100074 北京市丰台区云岗北里40号院1-8
入库时间 2023-06-19 05:18:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B41/85 申请公布日:20180511 申请日:20161101
发明专利申请公布后的视为撤回
2018-06-05
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B41/85 申请日:20161101
实质审查的生效
2018-05-11
公开
公开
机译: SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料
机译: SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料
机译: SiC纳米线增强的SiC复合材料