首页> 中国专利> 光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法、图案形成方法、树脂、以及纯化方法

光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法、图案形成方法、树脂、以及纯化方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本实施方式提供一种光刻用下层膜形成材料，其含有下述式(1)所示的化合物或包含源自下述式(1)所示的化合物的结构单元的树脂中的至少任一种。式(1)中，R

著录项

公开/公告号CN107949808A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-04-20

原文格式PDF
申请/专利权人三菱瓦斯化学株式会社;
展开▼

申请/专利号CN201680050394.9
发明设计人樋田匠;牧野嶋高史;佐藤隆;越后雅敏;
展开▼

申请日2016-08-25
分类号
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址日本东京都
入库时间 2023-06-19 05:07:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-06-15

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/11 申请日:20160825

实质审查的生效
2018-04-20

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 化合物及其制造方法、组合物、光学部件形成用组合物、光刻用膜形成组合物、抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法、辐射敏感组合物、非晶膜制造方法、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜制造方法、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法、纯化方法 [P] . 中国专利： CN108349860A . 2018-07-31
2. 化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法和化合物或树脂的纯化方法 [P] . 中国专利： CN107250089A . 2017-10-13
3. Film forming material, film forming composition for lithography, optical component forming material, resist composition, resist pattern forming method, permanent film for resist, radiation-sensitive composition, method for producing amorphous film, underlayer film forming material for lithography, lower layer for lithography Film forming composition, manufacturing method of underlayer film for lithography and circuit pattern forming method [P] . 韩国专利： KR20200022391A . 2020-03-03

机译：成膜材料，用于光刻的成膜组合物，光学部件形成材料，抗蚀剂组合物，抗蚀剂图案形成方法，用于抗蚀剂的永久膜，辐射敏感性组合物，非晶膜的制造方法，用于光刻的下层膜形成材料，用于光刻的下层成膜组合物，用于光刻的下层膜的制造方法和电路图案形成方法
4. Lower layer film forming material for lithography, composition for lower layer film formation for lithography, lower layer film for lithography and manufacturing method thereof, pattern forming method, resin, and purification method [P] . 日本专利： JPWO2017038645A1 . 2018-06-14

机译：用于光刻的下层膜形成材料，用于光刻的下层膜形成用组合物，用于光刻的下层膜及其制造方法，图案形成方法，树脂和纯化方法
5. Compound, resin, resist composition or radiation sensitive composition, resist pattern forming method, amorphous film manufacturing method, lithography lower layer film forming material, lithography lower layer film forming composition, circuit pattern forming method, and purification Method [P] . 日本专利： JPWO2017043561A1 . 2018-08-09

机译：化合物，树脂，抗蚀剂组合物或放射线敏感性组合物，抗蚀剂图案形成方法，非晶膜制造方法，光刻下层膜形成材料，光刻下层膜形成组合物，电路图案形成方法和纯化方法