形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法

摘要

公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅‑硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。