支持大于4GB非线性闪存的方法及装置

摘要

本发明实施例提供一种支持大于4GB非线性闪存的方法及装置。该方法包括：将非线性闪存NAND FLASH芯片容量所表示的范围增大到264字节，将NAND FLASH芯片的寻址空间扩大到264；接收第一指令；根据第一指令调用对应的函数，判断第一指令读写的芯片容量范围是否大于第一阈值，并判断第一指令读写的地址位数是否大于第一阈值，第一阈值大于32位；当第一指令读写的芯片容量范围小于等于第一阈值，且第一指令读写的地址位数小于等于第一阈值时，对NAND FLASH芯片进行访存。本发明实施例使得VxWorks系统能够支持大于4GB容量的NAND FLASH芯片，提高了VxWorks系统的存储效率。