具有集成的高K金属栅逻辑设备和不含金属的擦除栅的非易失性分离栅存储器单元及其制造方法

摘要

本发明提供了一种在与具有HKMG逻辑栅的逻辑和高压设备的同一芯片上形成分离栅非易失性存储器单元的方法。所述方法包括在所述芯片的所述存储器区中形成源极区和漏极区、浮栅、控制栅和用于擦除栅和字线栅的多晶硅层。在所述存储区上方形成保护绝缘层，并且HKMG层和多晶硅层形成在所述芯片上、从所述存储区中移除并且在芯片的逻辑区中图案化以形成具有不同数量的下层绝缘的逻辑栅。