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公开/公告号CN1941856B
专利类型发明专利
公开/公告日2013-01-02
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200610136395.3
发明设计人 安正*;
申请日2006-08-30
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人蒲迈文
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:12:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-02
授权
2008-09-24
实质审查的生效
2007-04-04
公开
机译: 具有小尺寸光学黑区的CMOS图像传感器
机译: 具有小尺寸光学黑屏区域的互补金属氧化物半导体图像传感器
机译:带有可互换镜头的无镜数码相机广泛的机器全尺寸CMOS传感器小尺寸和高图像质量高速自动对焦功能具有吸引力
机译:基于互补金属氧化物半导体图像传感器的光学层析成像系统图像重建
机译:浮动区硅晶片通过在室温下的红外互补金属氧化物半导体图像传感器在室温下通过表面活化键合粘合到Czochralski硅衬底
机译:第24章用于光学层析成像仪器系统的互补金属氧化物半导体(CMOS)区域图像传感器的驱动电路
机译:利用全局反馈的CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器的模拟读出方法
机译:具有差光谱响应像素的光学滤镜少CMOS图像传感器可同时进行UV选择性和可见光成像
机译:可变动态范围的互补金属氧化物半导体图像传感器,具有栅极/机身互连金属氧化物硅场效应晶体管型光电探测器使用反馈结构
机译:结合和匹配光学,电子束和X射线光刻在制造具有0.1和低于0.1微米特征的si互补金属氧化物半导体电路中