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具有小尺寸光学黑区的互补金属氧化物半导体图像传感器

摘要

CMOS图像传感器包括多个有源像素行和一光学黑像素行。该光学黑像素行根据至少两个有源像素行每一个的激活而激发产生各自的光学黑信号。这样共用光学黑像素行减小了CMOS图像传感器的光学黑区。

著录项

  • 公开/公告号CN1941856B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200610136395.3

  • 发明设计人 安正*;

    申请日2006-08-30

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人蒲迈文

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-02

    授权

    授权

  • 2008-09-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-04-04

    公开

    公开

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