公开/公告号CN107735864A
专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 美商新思科技有限公司;
申请/专利号CN201680039906.1
申请日2016-06-08
分类号H01L29/78(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华;董典红
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 04:35:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-03
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20160608
实质审查的生效
2018-02-23
公开
公开
机译: 在3D几何图形上具有2D材料通道的基板和晶体管
机译: 互补晶体管的制造方法,涉及在另一衬底上形成具有特定临界尺寸的n沟道和p沟道晶体管的栅电极结构。
机译: 用作晶体管的电荷俘获存储单元包括半导体主体或衬底,该衬底具有在沟道区域中具有弯曲的上侧。