基于互补极化磁隧道结的非易失SRAM存储单元及其应用方法

摘要

本发明公开了一种基于互补极化磁隧道结的非易失SRAM存储单元及其应用方法，存储单元包括SRAM单元和互补极化磁隧道结CPMTJ，CPMTJ的两个读写端并联在SRAM单元的两个反馈节点L、R上，CPMTJ的接地端GND接地，存储单元的应用方法步骤包括：将控制线BL、N_BL均置为低电平，将外部缓存中缓存的数据写入到反馈节点L、R，在系统即将断电时，将控制线BL、N_BL均置为高电平，在重新上电时，互补极化磁隧道结CPMTJ存储的信息被读出到反馈节点L、R处。本发明解决了传统NV‑SRAM单元使用MTJ带来的写非对称性问题，具有存储性能高、非易失写操作简单、非易失写延迟小、写功耗低的优点。