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内置实时时钟; RTC; 表贴封装; SRAM模块; 智能集成电路;
机译:使用自旋功能MOSFET的非易失性逻辑应用于非易失性电源门控逻辑验证非易失性SRAM /触发器的可能性
机译:东京技术集团开发伪旋转非易失性SRAM(NV-SRAM)和非易失性触发器(NV-FF)
机译:东京技术本地集团,伪旋转非易失性SRAM(NV-SRAM)和非易失性触发器(NV-FF)开发
机译:集成了铁电HfO2电容器的非易失性SRAM,用于常关和超低功耗IoT应用
机译:用于可编程光子学的非易失性集成相变光子平台
机译:勘误表:外延Fe3O4 / PMN-PT的Verwey转变和电阻率的非易失性铁弹性转换(011)
机译:基于铁电容器的非易失性SRAM设计的单事件效应模拟
机译:非易失性和低温兼容的量子存储器件(QumEm)。
机译:非易失性SRAM单元在CMOS工艺中集成了相变存储器
机译:单芯片存储器件集成了SRAM,并利用位线共享实现了非易失性存储
机译:非易失性双列直插式内存模块(NVDIMM)多芯片封装
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