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柔性衬底上硅纳米膜转数字逻辑反相器及其制作方法

摘要

本发明属于柔性数字电路设计与新型工艺制备领域,为设计并制备一种基于柔性PET衬底的数字反相器,采用磁控溅射的低温工艺,以及与传统CMOS工艺相兼容的新型柔性电子设计生产工艺,在柔性衬底上制备基本的数字电路反相器。此外,还实现降低生产成本。本发明,柔性衬底上硅纳米膜转数字逻辑反相器及其制作方法,由PET柔性基底、转移硅纳米膜、转移硅纳米膜上集成的PMOS管与NMOS管以及射频电感互联组成,位于顶部的PMOS管的漏极连接高电位,底部NMOS管源极连接低电位,以两个MOS管的共有栅极作为电路的输入端,PMOS管的源极作为电路的输出端。本发明主要应用于柔性数字电路设计制造场合。

著录项

  • 公开/公告号CN107634054A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津大学;

    申请/专利号CN201710843421.4

  • 申请日2017-09-18

  • 分类号

  • 代理机构天津市北洋有限责任专利代理事务所;

  • 代理人刘国威

  • 地址 300072 天津市南开区卫津路92号

  • 入库时间 2023-06-19 04:27:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20170918

    实质审查的生效

  • 2018-01-26

    公开

    公开

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