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一种基于SOI工艺及微组装技术的三轴电容式微加速度计

摘要

三轴电容式微加速度计包括SOI基片、质量块、挠性梁、齿枢、固定电极和活动电极。结构为中心对称图形,通过XY平面、Z轴方向的质量块分别感知三个正交方向的加速度。通过XY平面上的回形梁和Z轴方向上的挠性梁的设计,使得三个正交方向上的加速度灵敏度和分辨率都有所提高。除外,SOI工艺的应用,使本发明具有寄生电容小、短沟道效应小、速度快、集成度高、功耗低、耐高温、抗辐射等优点。最后,通过微组装技术这种新颖的方式有效的解决了微器件封装的难题。

著录项

  • 公开/公告号CN102156201B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-01-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201010564371.4

  • 申请日2010-11-30

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-01-30

    授权

    授权

  • 2011-09-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01P 15/125 申请日:20101130

    实质审查的生效

  • 2011-08-17

    公开

    公开

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