一种高集成度低EMI雾化器驱动芯片电路

摘要

本发明公开了一种高集成度低EMI雾化器驱动芯片电路，其包括EMI控制电路及复数个雾化驱动I/O口，所述EMI控制电路包括DRVN电路和DRVP电路，所述DRVN电路和DRVP电路并联于所述复数个雾化驱动I/O口。该电路增强了雾化片驱动芯片自身的驱动能力，能够减小EMI干扰。

说明书

技术领域

本发明属于雾化器的技术领域，特别涉及一种雾化器的驱动芯片电路。

背景技术

近年来，雾化器大量应用于健康和保养的用途，雾化器通过超声波振动将水或者液体，雾化为气体分子。其方法主要通过驱动芯片将超声波频率的信号传递给雾化片，将直流电转化为超声波能量。

通常雾化器工作5V～24V对的直流电压下，为了驱动雾化片工作，驱动芯片需要产生1.7MHz或2.4MHz的振荡频率，输出级的驱动开关在高速通断过程中会产生EMI干扰，特别是大功率雾化片EMI干扰更加明显。同时在板级PCB方案中需要BJT放大管来增加驱动能力，使大功率雾化片能够在超声波频率下工作。

如专利申请201520474288.6公开了一种避免杂质干扰的压缩式雾化器，包括壳体、气缸、雾化装置、马达及马达固定座，壳体包括底座和盖体，马达通过一个连接螺栓安装于底座上，马达固定座盖板通过连接螺栓与马达固定连接；盖体的侧壁上设置有多个用于散热的条形通孔，每个条形通孔内侧的盖体内壁上均设置有挡片，挡片的末端为弧形片；马达两侧的底座上均设置有一个竖直筋板。然而该专利申请是关于雾化器杂质干扰的，其仅仅是去除杂质干扰，没有涉及对于驱动芯片的改进，仍然存在上述问题。

因此，业内目前需要一种能够减小EMI干扰，低开发成本高集成度的驱动芯片方案。

发明内容

基于此，因此本发明的首要目地是提供一种高集成度低EMI雾化器驱动芯片电路，该电路具有高集成度且带驱动能力，能够减小EMI干扰。

本发明的另一个目地在于提供一种高集成度低EMI雾化器驱动芯片电路，该电路增强了雾化片驱动芯片自身的驱动能力，可以代替目前驱动方案的BJT驱动管，减少方案器件，降低成本，提高了集成度。

为实现上述目的，本发明的技术方案为：

一种高集成度低EMI雾化器驱动芯片电路，其包括EMI控制电路及复数个雾化驱动I/O口，所述EMI控制电路包括DRVN电路和DRVP电路，所述DRVN电路和DRVP电路并联于所述复数个雾化驱动I/O口。

进一步，所述复数个雾化驱动I/O口包括有雾化驱动I/O口1，雾化驱动I/O口2，雾化驱动I/O口3，雾化驱动I/O口4。EMI控制电路包括DRVN电路和DRVP电路，DRVN输出的抗EMI信号控制雾化驱动I/O口的NMOS驱动管，DRVP输出的抗EMI信号控制雾化驱动I/O口的PMOS驱动管。

进一步，所述DRVN和DRVP电路分别接芯片产生的相位相反的振荡频率信号DRVINN和DRVINP，且DRVN和DRVP电路均接于数字控制位EMIctr<2:0>，由此可以设置EMI电路对振荡频率信号进行不同的延迟处理。

进一步，所述EMI控制电路的输出端P和N分别耦接雾化驱动I/O口1，雾化驱动I/O口2，雾化驱动I/O口3，雾化驱动I/O口4的输入端，雾化驱动I/O口1到4的输出端藕接在一起作为驱动输出端。

本发明提供的EMI控制电路工作原理如下：EMI控制电路内部的DRVN和DRVP电路分别接芯片产生的相位相反的振荡频率信号，由数字控制位EMIctr<2:0>可以设置EMI电路对振荡频率信号进行四总不同的延迟处理，减小方波的上升沿和下降沿斜率。雾化驱动I/O的驱动mos导通控制信号有较小的延迟差，使驱动MOS可以分时导通，减小驱动MOS在同时工作时产生的电流冲击，减小EMI干扰。

由此，雾化驱动I/O口可以集成大驱动MOS，由四个雾化驱动IO口共同提供输出驱动，四个驱动I/O都可以独立控制工作状态，驱动能力可控。

本发明所实现的雾化器驱动芯片电路，具有以下技术效果：

1、由于EMI电路可以减缓输出方波的上升沿和下降沿，有效减小EMI干扰。

2、雾化驱动IO口大驱动MOS可以通过错时导通进一步减小大驱动EMI干扰。

3、雾化驱动IO口集成了大驱动MOS，增强了雾化片驱动芯片自身的驱动能力，可以代替目前驱动方案的BJT驱动管，减少方案器件，降低成本，提高了集成度。

4、四个雾化驱动IO可以进行单独控制，驱动能力可配置，提高了芯片的适用性。

附图说明

图1是本发明所实施的驱动芯片电路图。

图2是本发明所实施EMI控制模块的电路图。

图3是本发明所实施EMI控制电路的输出波形图。

图4是无EMI控制电路时的波形图。

图5是应用本发明所实现雾化器驱动的电路图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

图1所示，为本发明所实现的的雾化器驱动芯片电路，图中所示，该电路包括EMI控制电路，雾化驱动I/O口1，雾化驱动I/O口2，雾化驱动I/O口3，雾化驱动I/O口4。图2所示EMI控制电路包括DRVN电路和DRVP电路，DRVN输出端N的抗EMI信号控制雾化驱动I/O口的NMOS驱动管，DRVP输出端P的抗EMI信号控制雾化驱动I/O口的PMOS驱动管。EMI控制电路接收芯片产生的1.7MHz频率相同、相位相反的两个控制方波，分别通过DRVINP和DRVINN端接入DRVP电路和DRVN电路，通过3位数字控制位EMIctr<2:0>，使方波信号上升沿和下降沿产生不同的斜率。输出波形如图3所示，数字配置位为100时雾化驱动IO的输出波形，上升下降沿变平滑，没有过冲抖动。图4为没有EMI控制电路产生的波形，有过冲干扰。

在本发明的实施例中的四个雾化驱动I/O口可以通过程序自由设置使用个数，实现驱动能力可配置。当两个以上I/O同时使用时，驱动不同I/O的频率信号会有微小的相位差，使驱动管实现错时导通，进一步减小EMI。

其中，EMI控制电路的输出端分别耦接雾化驱动I/O口1，雾化驱动I/O口2，雾化驱动I/O口3，雾化驱动I/O口4的输入端。雾化驱动I/O口1到4的输出端藕接在一起作为驱动输出端。传统的雾化片驱动电路输入驱动信号要经过BJT放大驱动后，通过集电极来驱动NMOS开关。本发明的实施例中四个雾化驱动I/O口能够提供足够的驱动能力，可以直接驱动NMOS开关，使用本发明的驱动电路参看图5，驱动芯片的驱动输出可以直接连接驱动输入端，输入端连接场效应管的栅极，省去两个BJT管Q1和Q2，将其功能集成在芯片中降低了开发成本。

EMI控制电路内部的DRVN和DRVP电路分别接芯片产生的相位相反的振荡频率信号，由数字控制位EMIctr<2:0>可以设置EMI电路对振荡频率信号进行四总不同的延迟处理，减小方波的上升沿和下降沿斜率。雾化驱动I/O的驱动mos导通控制信号有较小的延迟差，使驱动MOS可以分时导通，减小驱动MOS在同时工作时产生的电流冲击，减小EMI干扰。

由此，雾化驱动I/O口可以集成大驱动MOS，由四个雾化驱动IO口共同提供输出驱动，四个驱动I/O都可以独立控制工作状态，驱动能力可控。

本发明所实现的雾化器驱动芯片电路，具有以下技术效果：

1、由于EMI电路可以减缓输出方波的上升沿和下降沿，有效减小EMI干扰。

2、雾化驱动IO口大驱动MOS可以通过错时导通进一步减小大驱动EMI干扰。

3、雾化驱动IO口集成了大驱动MOS，增强了雾化片驱动芯片自身的驱动能力，可以代替目前驱动方案的BJT驱动管，减少方案器件，降低成本，提高了集成度。

4、四个雾化驱动IO可以进行单独控制，驱动能力可配置，提高了芯片的适用性。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。